公众号格罗方德携手SiFive：共同HBM2E芯片设计
2019-11-06 18:46:55
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格罗方德(GlobalFoundries)与SiFive周二宣布，两家公司将共同开发基于12LP/12LP+ FinFET工艺的HBM2E存储器。两家公司希望通过打包HGM2E存储器IP，使SoC设计人员能够快速将HBM2E集成到需要大量带宽的芯片中。
具体说来，格罗方德与SiFive在HBM2E的实施方案包括格罗方德设计的2.5D封装(中间层)以及SiFive开发的HBM2E接口层。除了HBM2E技术，SiFive还允许被授权放使用该公司的RISC-V产品组合以及格罗方德12/12LP+ DesignShare IP生态系统，使得SoC开发人员能够基于格罗方德先进的制造技术，来打造基于RISC-V的设备。
格罗方德和SiFive共同指出，12LP+制造工艺和HBM2E的实施，将主要用于先进的人工智能训练和推理应用，并希望供应商对TOPS性能进行优化。
对于格罗方德而言，需要特殊工艺，且可能由于成本或其它原因，无法为应对台积电(TSMC)和三星(Samsung Foundry)的领先工艺做好准备。至于与SiFive的合作，RISC-V本身不太可能用于深度学习加速器的核心逻辑，但至少可用于控制其中数据流所需的嵌入式CPU内核可靠架构。
SiFive的HBM2E接口以及针对格罗方德12LP/12LP+技术的定制IP，正在纽约马耳他GF8号工厂开发中。两家公司预计在2020上半年完成工作，届时将开放IP的授权工作。
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